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增強型MOS管(N溝道)

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DIODES DMG2302U-7

  • DMG2302U-7請詢價2026-06-17 05:01
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深圳市寶利士科技有限公司

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    年
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  • 聯(lián)　系人：周先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82550851
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  • 手　　機：17612073080
  • 地　　址：華強北路新華強電子世界Q1B042-Q1B043
DMG2302U-7數(shù)據(jù)手冊
DMG2302U-7參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
4.2 A
Rds On-漏源導通電阻
90 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
4.5 V
Qg-柵極電荷
7 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
產(chǎn)品
MOSFET Small Signal
系列
DMG2302
晶體管類型
1 N-Channel
商標
Diodes Incorporated
下降時間
6.7 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
9.8 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
28.1 ns
典型接通延遲時間
7.4 ns
單位重量
8 mg
商品詳情
產(chǎn)品屬性  屬性值
制造商  Diodes Incorporated 
產(chǎn)品種類  MOSFET 
RoHS   詳細信息  
技術  Si 
安裝風格  SMD/SMT 
封裝 / 箱體  SOT-23-3 
通道數(shù)量  1 Channel 
晶體管極性  N-Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓  20 V 
Id-連續(xù)漏極電流  4.2 A 
Rds _disibledevent="xl66">  8 mg

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