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晶體三極管

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DMN65D8LDW-7 DIODES 原裝代理 可接受全系列訂貨

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深圳市寶利士科技有限公司

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    10

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：AVX Diodes EYANG KEMET Murata Samsung
  • 聯(lián)　系人：周先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82550851
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  • 地　　址：華強北路新華強電子世界Q1B042-Q1B043
DMN65D8LDW-7數(shù)據(jù)手冊
DMN65D8LDW-7參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
系列：
DMN
單位重量：
6 mg
最大工作溫度：
+ 150 C
最小工作溫度：
- 55 C
技術：
Si
安裝風格：
SMD/SMT
下降時間：
6.3 ns, 6.3 ns
典型接通延遲時間：
3.3 ns, 3.3 ns
上升時間：
3.2 ns, 3.2 ns
Vgs-柵極-源極電壓：
20 V. 20 V
Pd-功率耗散：
300 mW
通道數(shù)量：
2 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：
180 mA, 180 mA
Vds-漏源極擊穿電壓：
60 V, 60 V
晶體管類型：
2 N-Channel
RdsOn-漏源導通電阻：
8 Ohms
通道模式：
Enhancement
晶體管極性：
N-Channel
Qg-柵極電荷：
870 pC, 870 pC
Vgsth-柵源極閾值電壓：
1 V, 1 V
典型關閉延遲時間：
12 ns, 12 ns
正向跨導-最小值：
80 mS, 80 mS
FET類型：
2 個 N 溝道（雙）
FET功能：
邏輯電平門
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
180mA
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
6 歐姆 @ 115mA，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
2V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
0.87nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
22pF @ 25V
功率-最大值：
300mW
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封裝形式Package：
SOT-363
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
60V
連續(xù)漏極電流ID：
0.2A
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情

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